دوره 70، شماره 12 - ( 12-1391 )
جلد 70 شماره 12 صفحات 750-745 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
S K, B B, F N. Investigating the effects of 217 Hz frequency of cell phone on learning and spatial memory in rats. Tehran Univ Med J 2013; 70 (12) :745-750
URL: http://tumj.tums.ac.ir/article-1-41-fa.html
URL: http://tumj.tums.ac.ir/article-1-41-fa.html
کهزاد سوسن، بلوری بهرام، نیکبخت فرناز. مطالعه اثر فرکانس 217 هرتز گوشی تلفن همراه با شدت 200 میکروتسلا بر یادگیری و حافظه فضایی در موش آزمایشگاهی. مجله دانشکده پزشکی، دانشگاه علوم پزشکی تهران. 1391; 70 (12) :745-750
چکیده: (8422 مشاهده)
زمینه و هدف: میدان‌های الکترومغناطیسی فوق‌العاده کم فرکانس ناشی از خطوط نیرو، وسایل الکتریکی و تجهیزات پزشکی آثار بیولوژیکی متفاوتی را ایجاد می‌کنند. سیستم جهانی موبایل (GSM) در زندگی روزمره به طور گسترده‌ای مورد استفاده قرار می‌گیرد. این سیستم علاوه بر استفاده از باند فرکانس‌های بالا، دارای فرکانس پایین نیز می‌باشد. هدف از این مطالعه بررسی اثر میدان الکترومغناطیسی مدوله‌کننده امواج پرفرکانس سیستم جهانی موبایل، 217 هرتز بر یادگیری و حافظه فضایی در موش صحرایی می‌باشد.
روش بررسی: تعداد 24 موش نر صحرایی از نژاد ویستار به طور تصادفی به سه گروه تست (تابش)، شم و کنترل تقسیم شدند. با استفاده از کویل‌های هلمهولتز، گروه تابش روزانه چهار ساعت و به مدت 21 روز، تحت تابش میدان یک‌نواخت پالسی الکترومغناطیسی با شدت 200 میکروتسلا قرار گرفت. این روند برای گروه شم در غیاب میدان نیز تکرار شد. همه گروه‌ها در هفته سوم به مدت پنج روز و روزانه چهار بار در ماز آبی موریس آموزش دیدند. سپس در روز ششم تست پروب به مدت 60 ثانیه در غیاب سکوی نجات انجام شد.
یافته‌ها: در آنالیز واریانس یک طرفه داده‌ها اختلاف معنی‌داری در مقایسه گروه تابش و کنترل در دو مرحله آموزش و پروب مشاهده نشد. (05/0P≤ به عنوان سطح معنی‌داری در نظر گرفته شد).
نتیجه‌گیری: این یافته‌ها نشان می‌دهد که احتمالا تابش کوتاه‌مدت، چون در 21 روز بررسی صورت گرفت، میدان‌های الکترومغناطیسی کم فرکانس تلفن‌های همراه با شدت μT200 (میکروتسلا) تاثیری بر حافظه و یادگیری ندارد.
روش بررسی: تعداد 24 موش نر صحرایی از نژاد ویستار به طور تصادفی به سه گروه تست (تابش)، شم و کنترل تقسیم شدند. با استفاده از کویل‌های هلمهولتز، گروه تابش روزانه چهار ساعت و به مدت 21 روز، تحت تابش میدان یک‌نواخت پالسی الکترومغناطیسی با شدت 200 میکروتسلا قرار گرفت. این روند برای گروه شم در غیاب میدان نیز تکرار شد. همه گروه‌ها در هفته سوم به مدت پنج روز و روزانه چهار بار در ماز آبی موریس آموزش دیدند. سپس در روز ششم تست پروب به مدت 60 ثانیه در غیاب سکوی نجات انجام شد.
یافته‌ها: در آنالیز واریانس یک طرفه داده‌ها اختلاف معنی‌داری در مقایسه گروه تابش و کنترل در دو مرحله آموزش و پروب مشاهده نشد. (05/0P≤ به عنوان سطح معنی‌داری در نظر گرفته شد).
نتیجه‌گیری: این یافته‌ها نشان می‌دهد که احتمالا تابش کوتاه‌مدت، چون در 21 روز بررسی صورت گرفت، میدان‌های الکترومغناطیسی کم فرکانس تلفن‌های همراه با شدت μT200 (میکروتسلا) تاثیری بر حافظه و یادگیری ندارد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
